Rojas López, MarlonDe Anda Salazar, FranciscoOlvera Hernández, JavierRojas López, Marlon; 0000-0001-5595-9348Palafox Plata, Maricruz2026-01-292026-01-292025-08https://hdl.handle.net/20.500.12371/31109“El desarrollo de nuevos semiconductores, en particular del antimoniuro de galio (GaSb), es un campo de investigación en rápida expansión debido a sus propiedades únicas y su aplicación en dispositivos optoelectrónicos. GaSb es un semiconductor binario con un rango espectral que abarca longitudes de onda del infrarrojo medio entre 0.82 y 4.5 micrómetros, destacándose por su ancho de banda prohibida de 0.72 eV a 300 K y 0.81 eV a 2 K. La técnica de epitaxia desde la fase líquida (EFL) se utiliza para crecer películas delgadas de alta calidad cristalina en este material, permitiendo el desarrollo de dispositivos eficientes como láseres y fotodetectores. La calidad estructural y óptica de las capas obtenidas se evalúa a través de diversas técnicas de caracterización, siendo la fotoluminiscencia una de las más importantes para determinar la eficacia de la deposición. Este trabajo se enfoca en la síntesis y caracterización de películas de GaSb con espesores nanométricos, contribuyendo al entendimiento de sus propiedades eléctricas y estructurales”.pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAIngeniería (General)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadasQuímica--Química física y teórica--Teoría de la disolución--Cristalización, etc.Películas delgadas--SíntesisPelículas delgadas--Superficies--AnálisisTesis de maestríaopenAccess