Rosendo Andrés, EnriqueGaleazzi Isasmendi, ReinaDíaz Becerril, TomasAlvarado García, José Alberto2025-08-072025-08-072008https://hdl.handle.net/20.500.12371/29169"El estudio se enfoca en la evaluación del comportamiento de una solución decapante específica aplicada al arseniuro de galio (GaAs), un semiconductor ampliamente utilizado en dispositivos optoelectrónicos y de microelectrónica. Se analiza cómo varía la eficacia del decapado en función de las diferentes direcciones cristalográficas del material, considerando factores como la velocidad de ataque químico, la uniformidad de la superficie resultante y la selectividad del proceso. Esta investigación permite comprender mejor la interacción entre el decapante y las distintas orientaciones atómicas del GaAs, lo que es fundamental para optimizar procesos de limpieza, grabado húmedo y fabricación de estructuras a micro y nanoescala en la industria tecnológica."spaEstructura y propiedades cristalinas--Interacciones superficie-material--Procesos de ataque químico y limpieza en procesos industrialesPropiedades y comportamiento de materiales incluyendo semiconductores--Tecnología de semiconductores y dispositivos electrónicosLimpieza de semiconductores--Grabado húmedo--Fabricación micro y nanoescala--Industria tecnológicaTesis de licenciaturarestrictedAccessIQ2008 A4 E8