Díaz Becerril, TomásMárquez Marín, Joaquín2026-06-232026-06-231998-07https://hdl.handle.net/20.500.12371/33224Existe muy poco reportado en la literatura sobre el uso de películas de SiO2 depositadas sobre este proceso en sustratos de silicio con el objetivo de aplicarlas en dispositivos MOS. En este trabajo se presenta un estudio de la dependencia que tiene la composición de los reactivos involucrados en el proceso, en particular con una razón agua: TEOS de 11.6 con tres concentraciones de catalizador (HF), sobre las propiedades ópticas, eléctricas y de la morfología de la superficie de la película. En el capítulo 2 se hace una revisión sobre el proceso SOL-GEL, el cual es objeto de estudio de este trabajo, en cuanto a los principios de formación de películas y las características de estas. En el capítulo 3 se analizan los fundamentos de la estructura MOS. En el capítulo 4 se hace una revisión de los principios sobre los cuales se basan las técnicas de caracterización, AFM, elipsometría y FTIR, empleadas para el análisis de las películas de SiO2 depositadas por el proceso sol-gel. En el capítulo 5 se describe la manera en que fueron preparadas las muestras para el estudio de las películas. En el capítulo 6 se presentan los resultados obtenidos y se comparan con resultados reportados en la literatura para películas crecidas por otros procesos. En el capítulo 7 se presentan las conclusiones y contribuciones de este trabajo.spaSilicio —Física de las radiaciones—Luminiscencia—Electroluminiscencia —Dispositivos electroluminiscentes—Interferencia—Electroóptica aplicada—OptoelectrónicaComunicación por fibra óptica—Cuarzo—Redes de sensores —Análisis técnico—Equipos de procesamiento de señales—Espectroscopia de reflectancia—Conductividad eléctrica—Semiconductores—Electricidad y magnetismo—FotónicaFísica de semiconductores—Óptica aplicadaTesis de licenciaturarestrictedAccessLELE1998 M3 E8