Vital Vazquez, alejandroVelazquez Cruz, Evaristo Isac2025-05-232025-05-231996https://hdl.handle.net/20.500.12371/28372El crecimiento epitaxial de películas de GaAs mediante la técnica de transporte en fase de vapor por sublimación (CSVT) utilizando vapor de H₂O como reactivo, es una alternativa eficiente para obtener capas de alta calidad cristalina. En este proceso, el vapor de agua actúa como agente transportador, facilitando la migración del material desde la fuente hasta el sustrato. La técnica permite controlar parámetros como la temperatura y el gradiente térmico para lograr un crecimiento uniforme. Este método es relevante para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos y componentes en tecnologías de semiconductores avanzados.spaCiencia de materiales—Crecimiento epitaxial—Películas delgadas—GaAsSemiconductores—Técnicas de deposición—Transportes en fase de vapor—CSVFísica del estado sólido—Cristales compuestos—Galio arseniuro—Caracterización estructuralTesis de licenciaturarestrictedAccessIQ1996 V4C7