Olvera Hernández JavierMartínez Juárez JavierSolís Burgoa Justo EstebanSoto Suárez Francisco Javier2026-09-182026-09-182002https://hdl.handle.net/20.500.12371/33720Caracterización de capas epitaxiales de GaAs crecidas sobre sustratos tipo p y semiaislante mediante Epitaxia en Fase Líquida (EFL), considerando la influencia de la temperatura de crecimiento sobre la velocidad de crecimiento y la concentración de portadores. La caracterización contempla las técnicas de Efecto Hall y Reflectividad en el infrarrojo lejano, cuyos resultados permiten establecer una comparación entre los parámetros eléctricos y ópticos obtenidos. Los resultados muestran variaciones en la conductividad y concentración de portadores de las capas en función de la temperatura y del tipo de sustrato, además de establecer la factibilidad de emplear la técnica de Reflectividad como método complementario para la caracterización de GaAs.spaArseniuro de galioEpitaxia en fase líquidaCapas epitaxialesEspectroscopia de infrarrojo lejanoPortadores de cargaTesis de licenciaturarestrictedAccessLELE2002 S6 E8