Díaz Becerril, TomásGaleazzi Isasmendi, ReinaGALEAZZI ISASMENDI, REINA; 241164Herrera Herrera, Victor Hugo2021-04-092021-04-092021-01https://hdl.handle.net/20.500.12371/11988“En el presente trabajo, se describe la investigación realizada durante el periodo de doctorado realizado en el Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (CIDS) de la BUAP. El trabajo en cuestión expone la fabricación de un dispositivo electroluminiscente fabricado a base de silicio, usando para esto, un composito formado por una mezcla de óxidos de silicio (SiOx), óxidos de tantalio (TaOx), y óxido de zinc (ZnO), para lo cual, se utilizó como material fuente una mezcla de polvos de ZnO y pentóxido de tantalio (Ta2O5), este dispositivo se creció y caracterizó sobre sustratos de silicio. No está de más recordar, que el silicio es uno de los materiales más utilizados actualmente en la industria de la electrónica, con el cuál se pueden fabricar infinidad de componentes tanto pasivos como activos, tales como resistencias, capacitores, diodos, transistores, e incluso componentes más complejos que actualmente se están desarrollando en la industria tecnológica, tales como circuitos integrados, procesadores, microcontroladores, sistemas micro electromecánicos (MEMS), matrices de compuertas lógicas programables de campo o FPGA’s por sus siglas en inglés (Field Programmable Gate Array), sensores, etc. dichos componentes utilizados cada vez más y más, en casi todas las áreas que habita el ser humano1–3.”pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRASemiconductoresPelículas delgadas de óxido de zincElectroluminiscencia--CongresosIndustrias--Innovaciones tecnológicasCircuitos eléctricosTesis de doctoradoopenAccess