Quiroga González, EnriqueQUIROGA GONZALEZ, ENRIQUE; 48276Osorio García, Mayara del Pilar2019-05-092019-05-092017-11https://hdl.handle.net/20.500.12371/562"En la presente tesis, se aborda el problema de las limitaciones de velocidad de carga/descarga de ánodos a base de Si. La solución propuesta en este trabajo es el crear canales conductivos de carbón en el interior de Si. La propuesta consiste en la fabricación de ánodos de un compósito a base de silicio poroso y carbón (SiPC), por medio de grabado químico asistido por metal (MACE, por sus siglas en inglés) de poros en Si (creación de silicio poroso - SiP) y posterior pirólisis de sacarosa (C12H22O11, usado como precursor de carbón) en el interior de los poros. La idea es que los canales de carbón aumenten la conductividad electrónica de Si al tenerlo en forma del compósito, mejorando así su velocidad de carga/descarga en comparación con SiP. Los resultados de espectroscopía de impedancia (EI) muestran aumento en la conductividad electrónica de SiP debido a la adición de carbón. Esto también se puede inferir de las curvas de ciclado de carga/descarga, donde los ánodos de SiPC alcanzan capacidades mayores a los de SiP a velocidades iguales de carga".pdfspaCiencias Físico Matemáticas y Ciencias de la TierraElectrodosConductividad eléctricaTesis de maestríaSilicio porosoSilicio--Propiedades eléctricasBaterías de iones de litioopenAccess