López Cruz, ElíasLOPEZ CRUZ, JOSE ELIAS; 2131García Puente, Rocio2019-03-282019-03-282017-01https://hdl.handle.net/20.500.12371/63"En este trabajo se estudian dos tipos de semiconductores, ALGaInP y GaAs; el primero de ellos utilizado en la fabricación de LEDs de alto brillo en las longitudes de onda que van desde los 560 hasta 660 nm, y el segundo en LEDs que emiten en el infrarrojo (930 nm). El objetivo es variar dos parámetros externos (presión uniaxial y temperatura) en los LEDs mencionados anteriormente, y obtener una relación para Eg(P) y Eg(T) por medio de la luminiscencia emitida. Las mediciones de temperatura son de 77 a 343 K. Y las de presión uniaxial van de 0 a 1000GPa".pdfspaCiencias Físico Matemáticas y Ciencias de la TierraSemiconductoresDiodos emisores de luzEspectrometríaTesis de maestríaEsfuerzo y tensiónopenAccess