Hernández Cocoletzi, GregorioGarcía Díaz, ReyesHERNANDEZ COCOLETZI, GREGORIO; 5338GARCIA DIAZ, REYES; 232713Nava Blanco, Fernando Alejandro2020-09-102020-09-102018-08https://hdl.handle.net/20.500.12371/7710"En la tesis se realizan cálculos a primeros principios para estudiar la estructura atómica y electrónica de la adsorción e incorporación del galio (Ga) en la superficie (111) del fosfuro de aluminio (AlP) con periodicidad (2x2), así también como la formación de películas delgadas de fosfuro de galio (GaP) sobre la superficie AlP(111)-(2x2). Se estudiaron las coberturas de Ga que se considera son de 1/4, 1/2, 3/4 y 1 monocapa. Los resultados indican que, para cada cobertura de Ga, T4 es el sitio de alta simetría con estructura más favorable. Mientras que cuando 1/4 de monocapa de Ga se incorpora en la estructura atómica de la supeficie de AlP(111), el deposito del adatomo de Al incorporado sobre la superficie, por la incorporación de Ga, muestra que T4 es el sitio de alta simetría con estructura más favorable. Cuando una monocapa de Ga es incorporada en la estructura de AlP reemplazando el Al se forma una estructura estable".pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAPelículas delgadasEpitaxiaResistencia de materialesSemiconductoresTesis de licenciaturaFosfuro de aluminioopenAccess