Méndez Blas, AntonioMENDEZ BLAS, ANTONIO; 123735Roldán Ramos, Tomás2021-04-282021-04-282021-01https://hdl.handle.net/20.500.12371/12716“En este trabajo se obtuvieron películas delgadas (PD) de Cu2Se utilizando una ruta de síntesis de 2 etapas, primero se realizó el electrodepósito (ED) de PD de Cu3Se2 y posteriormente se sometieron a un tratamiento térmico a 250°C en atmosfera de Ar gaseoso para eliminar el exceso de selenio en las PD y lograr la fase de estudio. Este resultado se apoya en los resultados datos composición química por EDS, así como en los resultados de su estructura cristalina por difracción de rayos-X. Se realizó también el cálculo del valor de banda prohibida de energía, encontrándose un valor de 2.26 eV para PD de Cu2Se. Utilizando medidas de efecto Hall se determinó que el tipo de portadores de carga mayoritarios son huecos, los valores de conductividad eléctrica (3.63x103 Ω-1· cm-1), los portadores de carga en bulto (16.9x1021 cm-3), la movilidad Hall (5.71 cm2V-1s-1) y el coeficiente Hall(2.22x10-3cm3C-1 ). Con estos resultados se calcularon dos parámetros termoeléctricos muy importantes a 300 K: el coeficiente Seebeck y el factor de potencia con valores de 23792 μV·K-1 y 2.05x102 W·m-1K-2 respectivamente. Estos resultados permiten asegurar que las perspectivas de aplicación en sistemas termoeléctricos de estas películas son muy amplias”spaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAMateriales termoeléctricosEfecto HallEstequiometríaEspectroscopia de RamanTermoelectricidadTrabajo de grado, maestríaopenAccess