Coyopol Solís, AntonioGarcía Salgado, GodofredoCOYOPOL SOLIS, ANTONIO; 218687GARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938Valdez Torija, Eduardo Alejandro2024-03-132024-03-132023-11https://hdl.handle.net/20.500.12371/20224“En este trabajo de tesis, se estudia el crecimiento de películas de arsenuro de galio (GaAs) mediante la técnica de transporte en fase vapor en un espacio cercano (CSVT), sobre sustratos de silicio (Si) tipo n (100) y su efecto de nitruración en ambiente de amoníaco (NH3). Las películas de GaAs se crecieron a 800, 900 y 1000 ◦C, y el proceso de nitruración se llevó a cabo a 900 ◦C con una relación de gases NH3 : H2 de 1:100. Las películas de GaAs con y sin proceso de nitruración se analizaron mediante difracción de rayos X (XRD), espectroscopia Raman, espectroscopia de reflectancia difusa y microscopía electrónica de barrido con análisis de rayos X de dispersión de energía (SEM-EDX). Las mediciones de difracción de rayos X con incidencia rasante en las películas de GaAs nitruradas, confirman una estructura wurtzita de GaN policristalino, con orientación preferencial a lo largo de (002), además, se observa un plano cristalográfico de baja intensidad en 2θ = 52.18◦ correspondiente a Ga2O3. Los resultados de cuantificación en peso promedio (Wt. % ) de películas de GaAs nitruradas se determinaron mediante EDS”.pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRADiodos emisores de luz--MaterialesSemiconductores de arseniuro de galio--Diseño y construcciónCrecimiento de cristalesPeliculas delgadas--Propiedades opticasTesis de doctoradoopenAccess