Meza Montes, LiliaMEZA MONTES, LILIA; 5327Linares García, Gabriel2019-05-242019-05-242016-11https://hdl.handle.net/20.500.12371/1035"Se presenta un estudio de las propiedades electrónicas y ópticas de puntos cuánticos autoensamblados de forma piramidal y de anillo, para sistemas InAs/GaAs o GaN/AlN. Las propiedades electrónicas de puntos cuánticos fueron determinadas resolviendo la ecuación de Schrödinger, en el marco de la teoría k • p de múltiples bandas incluyendo efectos físicos como campo de deformación, piezoeléctrico y eléctrico externo, además de gradiente de concentración, según el sistema estudiado. En particular, se hace la comparación con espectros experimentales de anillos cuánticos de InAs/GaAs que fueron obtenidos mediante microfotoluminiscencia. Así mismo se realizan cálculos del tiempo de vida media de excitones neutros, considerando interacciones entre electrones y huecos mediante las integrales directa y de intercambio-correlación de Coulomb. Se observa que los campos de deformación y piezoeléctrico modifican fuertemente los niveles de energía de los portadores y que, en menor medida, son afectados por el gradiente de indio y el campo eléctrico, éstos tienen efecto predominante sobre la distribución de los portadores de carga y las probabilidades de transición. Se estudia el efecto del tamaño, capa de mojado y campo eléctrico externo en el espectro teórico de fotoluminiscencia en puntos cuánticos piramidales, obteniendo resultados similares con resultados reportados, tanto teórica como experimentalmente. Los resultados experimentales y teóricos de espectros de fotoluminiscencia y tiempo de vida media de excitones en anillos cuánticos de InAs/GaAs presentan buena concordancia".pdfspaCiencias Físico Matemáticas y Ciencias de la TierraFotoluminiscenciaPuntos cuánticosDislocaciones en cristalesdoctoralThesisNanotecnologíaDeformaciones (Mecánica)openAccess