Morales Ruíz, CrisóforoGaleazzi Isasmendi, ReinaMORALES RUIZ, CRISOFORO; 161275GALEAZZI ISASMENDI, REINA; 241164Díaz Tapia, Daniel2021-07-212021-07-212021-04-12https://hdl.handle.net/20.500.12371/13579"En este proyecto es importante el estudio del crecimiento de películas de SRO mediante HWCVD, el cual se utilizará un nuevo material fuente que sería el SBA-15, el cual nosotros esperamos que se le pueda agregar un metal como lo que es estaño para así obtener lo que son las películas dopadas de SRO. Se espera que el SBA-15 nos ayude a que el estaño soporte altas temperaturas y sea posible su uso para la impurificación de las películas de SRO. De esta manera el SBA-15 servirá como una capa de protección para el estaño a la hora de hacer uso de la técnica HWCVD. Este trabajo se guio en los siguientes 3 pasos: (1) síntesis de SBA-15, (2) impurificación del SBA-15 con átomos de estaño (Sn-SBA-15), (3) fabricación de películas de SRO sin impurificar e impurificadas con estaño (Sn-SRO). Además, en cada paso se realizarán diferentes caracterizaciones de nuestro material obtenido, para así estudiar sus propiedades, y obtener mayor información de lo que esta sucediendo con la impurificación de estaño."pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRASemiconductores--MaterialesRecubrimientosNanocristalesMicroelectrónicaSíntesis y caracterización de películas de óxido de silicio rico en silicio impurificado con estaño (SRO:Sn)Tesis de maestríaopenAccess