García Salgado, GodofredoRomano Trujillo, RománHerrera Castillo, Ana MaríaGARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938ROMANO TRUJILLO, ROMAN; 176893HERRERA CASTILLO, ANA MARIA; 484700Rodríguez González, Jorge Alberto2024-05-212024-05-212024-01https://hdl.handle.net/20.500.12371/20566"En este trabajo de tesis, se propone la obtención de películas de AlxGA1-xN depositadas por RF magnetrón sputtering primeramente en atmósfera de N2 y en segundo lugar en atmósfera de N2/Ar, usando blancos preparados con polvos sintetizados por pirólisis. El primer paso es la obtención de polvos vía pirólisis, esto se desarrolla a partir de un compuesto complejo metalorgánico, utilizando como reactivos nitrato de aluminio (Al(NO3)3), nitrato de galio (Ga(NO3)3) de ultra alta pureza y carbohidrazida (CH6N4O), posteriormente se realiza el proceso de nitruración mediante un recocido en flujo de amoníaco (NH3) a 1000°C durante 1 hora. Una vez sintetizados los polvos de AlGaN, se realizó el proceso de sinterizado a una temperatura de 800°C durante una hora en atmosfera de N2, en un horno de tres zonas, con el propósito de obtener los blancos con la firmeza necesaria para el depósito por RF magnetrón sputtering; posteriormente el blanco se introdujo en el equipo Intercovamex V1, para el depositó de películas de Al0.6Ga0.4N, AlN y GaN en sustratos de silicio tipo N, con una orientación (100) así como en sustratos de cuarzo, se utilizó un tamaño de blanco de 2.54 cm de diámetro y 0.5 cm de espesor".pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRADispositivos electroluminiscentesPelículas delgadas--MaterialesSemiconductoresNitruro de galioPeliculas delgadas--Propiedades opticasTesis de maestríaopenAccess