Dossetti Romero, VíctorAlvarado Pulido, José JoaquínDOSSETTI ROMERO, VICTOR; 123499ALVARADO PULIDO, JOSE JOAQUIN; 43237Huixtlaca Quintana, Mauricio2022-10-042022-10-042022-03-10https://hdl.handle.net/20.500.12371/16468"Los transistores de tunelamiento FET, han surgido como una alternativa a las tecnolo gías actuales por su velocidad de conmutación y ultra bajo consumo de energía, lo cual la vuelve la tecnología idónea en cómputo, esto debido a su pendiente de subumbral menor a 60 mV/década. En este trabajo se simulará y obtendrá un modelo para un transistor de película delgada GaN, mediante el programa TCAD (Technology computer-aided design) SILVACO, para generar un modelo circuital que nos ayude a simular en un entorno de circuitos eléctricos los transistores, que en un futuro se fabricarán".pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAMicroelectrónica--Procesamiento de datosTransistores de efecto de campoCircuitos integrados--Simulación por computadoraEfecto túnel (Física)--Modelos matemáticosTesis de maestríaopenAccess