Luna López, José AlbertoGarcía Salgado, GodofredoLUNA LOPEZ, JOSE ALBERTO; 200808GARCIA SALGADO, GODOFREDO; 122938Moran Martinez, Xochitl Aleyda2022-08-042022-08-042022-01-12https://hdl.handle.net/20.500.12371/16115"En el presente trabajo de tesis se diseñó un reactor HFCVD para el depósito de películas de óxido de silicio rico en silicio. En este nuevo diseño se agregó un calentador en la parte donde se ubica el sustrato y cuenta con un sistema de control de la temperatura, mediante está implementación se busca uniformizar la temperatura del sustrato y así poder obtener mejores depósitos para que las propiedades morfológicas y estructurales de las películas SRO sean de mejor calidad, con el controlador de temperatura se busca tener un mejor control en la temperatura del sustrato, así como una medición más precisa de la temperatura de depósito. La configuración que se diseño fue maquinada en el taller del Posgrado en Dispositivos Semiconductores. Los componentes del reactor como el sistema de vacío, la potencia de los filamentos y los gases precursores, fueron instalados dentro de la cámara de vacío. Una vez que se fabricaron todas las piezas, el reactor fue armado e instalado en el laboratorio y conectado a los sistemas antes mencionados. Además del diseño y construcción, también se realizó la simulación de la fisicoquímica del proceso de depósito y del mecanismo de reacción en fase gaseosa y de reacción superficial".pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAReactores químicos--Diseño y construcciónDeposición química de vaporPelículas delgadas--MaterialesÓxido de silicioDinámica de fluidos--Simulación por computadoraTesis de doctoradoopenAccess