Molina Flores EstebanHernández Gutiérrez Miguel Ángel2026-09-252026-09-252002https://hdl.handle.net/20.500.12371/33817Desarrollo de una metodología para la caracterización de láseres semiconductores utilizados en comunicaciones ópticas, considerando parámetros como potencia, eficiencia, polarización, ángulo de divergencia, distribución espacial, ancho de banda, apertura numérica y comportamiento de la corriente respecto a la potencia óptica. La metodología se aplica a diferentes fuentes láser, incluyendo un láser de He-Ne, un diodo láser infrarrojo y láseres de 980 y 1550 nm, seleccionando los parámetros de caracterización de acuerdo con las características de cada dispositivo. Los resultados proporcionan información de referencia para el análisis experimental de láseres y el desarrollo académico de aplicaciones de optoelectrónica y comunicaciones ópticas.spaSistemas de comunicación ópticaDiodos láserMetodologíaMediciónOptoelectrónicaTesis de licenciaturarestrictedAccessLELE2002 H4 M4