Zehe, AlfredMonjarás Machorro, María del Rosario2025-06-102025-06-102003https://hdl.handle.net/20.500.12371/28841El diseño de un sistema MBE (epitaxia por haces moleculares) requiere condiciones ultraalto vacío, control térmico preciso y una geometría que asegure la deposición uniforme de materiales sobre sustratos semiconductores. Entre las consideraciones clave están el tipo y número de celdas efusoras, los sistemas de monitoreo in situ (como RHEED), y la integración de automatización y seguridad. Esta técnica permite el crecimiento de capas delgadas con precisión atómica, esenciales en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos, láseres y transistores de alta velocidad, favoreciendo la innovación en la industria de semiconductores.spaSemiconductores—Crecimiento epitaxial—Haces moleculares (MBE)Ingeniería de materiales—Diseño de equipos—NanotecnologíaProcesos de fabricación—Depósito en vacío—Alta tecnologíaTesis de licenciaturarestrictedAccessIQ2003 M6C6