Coyopol Solís, AntonioLópez Hernández, OsvaldoRomano Trujillo, RománCOYOPOL SOLIS, ANTONIO; 218687LOPEZ HERNANDEZ, OSVALDO; 233470ROMANO TRUJILLO, ROMAN; 176893Quevedo Cassio, Esteban2025-04-082025-04-082024-11https://hdl.handle.net/20.500.12371/27419"La búsqueda constante de nuevos materiales ha permitido importantes avances tecnológicos logrando un crecimiento exponencial en los últimos años. Pareciera que en la carrera de los materiales semiconductores estamos llegando a cierto límite en cuanto a la integración de dispositivos electrónicos (principalmente tecnología del silicio), el cual se busca superar dentro de no mucho tiempo. Hasta la fecha el silicio es el material semiconductor comúnmente más utilizado y de vital importancia en el desarrollo de dispositivos microelectrónicos. En el área de las energías renovables, el silicio es muy utilizado dada su abundancia, eficiencia, estabilidad y durabilidad. Una característica interesante del silicio es que en su estado base no presenta fotoluminiscencia, pero en 1990 L.T. Canham, demostró que puede presentarla si modificamos su superficie. Otros materiales fotoluminiscentes basados en silicio, que responden su origen de emisión a defectos radiativos, han sido desarrollados tales como: SRO (Óxidos Ricos en Silicio), SRC (Carburos Ricos en Silicio), SiO (Óxidos de silicio) y SiCxOy (Oxicarburo de silicio). El objetivo es depositar y caracterizar películas fotoluminiscentes de oxicarburo de silicio (SiCxOy) de bajo espesor mediante la técnica HFCVD".pdfspaINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAIngeniería (General)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadasPelículas delgadas--Superficies--AnálisisPeliculas delgadas--Propiedades opticas--EvaluaciónDeposición química de vaporTesis de licenciaturaopenAccess