Martínez Juárez JavierGarcía Cruz María De La LuzLópez Salazar Primavera2026-11-052026-11-052009https://hdl.handle.net/20.500.12371/34698Desarrollo y caracterización de una unión PN de antimoniuro de galio (GaSb), semiconductor de la familia III-V, mediante epitaxia en fase líquida, orientada a aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos. La caracterización se realizó mediante difracción de rayos X de alta resolución (HRXRD), fotoluminiscencia (PL) y mediciones de corriente-voltaje (I-V). Los resultados evidencian la formación de películas de escala micrométrica con adecuada morfología superficial y alta calidad cristalina, además de emisiones en el rango infrarrojo asociadas al material GaSb y a defectos nativos. Las curvas I-V confirman el comportamiento característico de la unión PN y permiten obtener parámetros eléctricos mediante el ajuste al modelo matemático del diodo. Los resultados proporcionan referencias experimentales para el desarrollo de futuras uniones semiconductoras basadas en materiales III-V.spaAntimoniuro de galioEpitaxia de fase líquidaUniones PNFotoluminiscenciaTesis de licenciaturaopenAccessLELE2009 L6 D4