Silva Andrade FranciscoBravo García YolandaCruz Fermín Tenorio2026-09-302026-09-302002https://hdl.handle.net/20.500.12371/33903Crecimiento de películas semiconductoras tipo P mediante la técnica de Transporte en Fase Vapor a Corta Distancia (CSVT), seleccionada por su sencillez, bajo costo y menor consumo de precursores respecto a otras técnicas de crecimiento epitaxial como LPE, MBE y MOCVD. El trabajo busca demostrar la viabilidad del crecimiento de películas tipo P utilizando hidrógeno atómico como único agente reactante, contribuyendo al desarrollo de técnicas eficientes y económicas para la fabricación de materiales semiconductores.spaDiodos semiconductoresPelículas delgadas semiconductorasEpitaxia de fase de vaporCrecimiento epitaxialFabricación de diodos semiconductores mediante el crecimiento de películas de GaAs tipo P utilizando la técnica CSVT empleando hidrógeno atómico como reactanteTesis de licenciaturarestrictedAccessLELE2002 C7 F3