Propiedades electrónicas de semiconductores III-V con estructura de zincblenda bajo los efectos de la deformación de la red: aplicaciones al estudio de los estados de conducción en heteroestructuras cuánticas

Mora Ramos, Miguel EduardoCartas Fuentevilla, RobertoMORA RAMOS, MIGUEL EDUARDO; 21038CARTAS FUENTEVILLA, ROBERTO; 16034Mozo Vargas, José Juan Martín2022-06-212022-06-212021-11https://hdl.handle.net/20.500.12371/15961"En esta tesis se investiga el efecto de la deformación de la red cristalina en las propiedades electrónicas de semiconductores cúbicos III-V que se utilizan típicamente para fabricar heteroestructuras de baja dimensión. A partir de este estudio, es posible derivar la dependencia con la deformación biaxial de los principales parámetros de entrada utiliza dos en la evaluación teórica de los estados de la banda de conducción en pozos cuánticos deformados dentro de la aproximación de masa efectiva. En particular, nuestro interés se centra en la situación en la que las regiones activas de los pozos cuánticos están sujetas a deformación por compresión".pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAHeteroestructuras--InvestigaciónFísica del estado sólidoRedes cristalinasFuncionales de densidadPozos cuánticosPropiedades electrónicas de semiconductores III-V con estructura de zincblenda bajo los efectos de la deformación de la red: aplicaciones al estudio de los estados de conducción en heteroestructuras cuánticasTesis de doctoradoopenAccess