Camacho García, José HumbertoHernández Cocoletzi, GregorioCAMACHO GARCIA, JOSE HUMBERTO; 226426HERNANDEZ COCOLETZI, GREGORIO; 5338Moreno Hernández, Juan Carlos2020-09-302020-09-302018-07https://hdl.handle.net/20.500.12371/8064“En este trabajo se presentó un estudio de la formación de nanoestructuras de Al sobre la superficie (111) del GaN. Para desarrollar dicho estudio se empleó la teoría funcional de la densidad (DFT, por sus siglas en inglés) utilizando la aproximación del gradiente generalizado y ocupando el código PW-scf de la paquetería Quantum Expresso. Se consideró la adsorción e incorporación de los átomos de Al sobre una superficie de GaN con periodicidad (2 x 2) para la formación de las nanoestructuras. Los átomos de Al fueron depositados en los 4 sitios de alta simetría: H3, T4, Top y Bridge. El número de átomos depositados fueron ¼ y una monocapa completa de Al para determinar las configuraciones de las nanoestructuras mas estables. Para conocer la estabilidad de dichas configuraciones se calcularon las energías de formación de superficie de cada estructura. Los resultados mostraron que el sitio T4 es el más estable cuando ¼ de monocapa de Al es adsorbido con un valor de -0.23 eV, mientras que cuando una monocapa completa de Al es adsorbida el sitio Top es el más estable con una energía de -0.32 eV”.pdfspaINGENIERÍA Y TECNOLOGÍASemiconductores--InvestigaciónSemiconductores--MaterialesMateriales nanoestructuradosNanoestructuras--Propiedades eléctricas--InvestigaciónAluminioNitruro de galioTesis de licenciaturaopenAccess