Coyopol Solís, AntonioGarcía Salgado, GodofredoMorales Sánchez, AlfredoCoyopol Solís, Antonio; 0000-0001-5498-5640García Salgado, Godofredo; 0000-0002-5276-5641Morales Sánchez, Alfredo; 0000-0003-3656-2497Pedraza Chan, Imelda Antonia2026-10-052026-10-052026-03-06https://hdl.handle.net/20.500.12371/33953"El estudio de materiales a base de silicio continúa siendo un área de investigación activa en la actualidad. Sin embargo, el uso de materiales como el SiCxOy depositado bajo la técnica HFCVD no ha sido explorado, principalmente para aplicaciones en dispositivos de conmutación resistiva. De acuerdo con recientes investigaciones, el estudio del SiCxOy se ha centrado principalmente en sus propiedades de fotoluminiscencia (con longitudes de onda que van desde 370 a 720 nm), sus propiedades térmicas y su comportamiento bajo diferentes atmósferas de tratamiento térmico. No obstante, la evaluación de este material como dispositivo MIS (Metal - dieléctrico - Semiconductor) no ha sido explorado, lo cual representa una brecha de oportunidad para su investigación. Lo anterior se fundamenta en las propiedades ópticas y eléctricas modulables que posee el SiCxOy, características que lo posicionan como un material prometedor para el desarrollo de memorias resistivas no volátiles de bajo consumo energético (RRAM). Esta aplicación se alinea con las tendencias actuales de la microelectrónica de potencia y computación neuromórfica, basadas en tecnologías compatibles con CMOS".pdfspaCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAIngeniería (General)--Materiales de ingeniería y construcción--Materiales de composición o estructura especial--Películas delgadasPeliculas delgadas--Propiedades opticasPelículas delgadas--Superficies--AnálisisPeliculas delgadas--Propiedades eléctricasEstudio óptico y estructural de películas de oxicarburo de silicio (SiCxOy) y su aplicación en estructuras MIS con respuesta de conmutación resistivaTesis de doctoradoopenAccess