Browsing by Author "Galeazzi Isasmendi, Reina Galeazzi"

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  • Tesis de maestría
    Caracterizacion por microscopia electronica de barrido de heteroestructuras de GaAs-Ge/GaAs de baja dimensionalidad
    (Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 2002) Galeazzi Isasmendi, Reina Galeazzi; Silvia Gonzalez, Rutilo; Gomez Barojas, Estela
    En este trabajo se hace un análisis de caracterización por microscopia electrónica de barrido, espectroscopia de energia dispersiva y espectroscopia de electrones Auger de heteroestructuras formadas en su mayoría por 15 capas de GaAs y 15 capas de Ge. alternadas, terminando el crecimiento con una capa de GaAs, las cuales fueron crecidas por la técnica de erosión catódica tipo magnetron. El primer objetivo planteado para la caracterización de estas heteroestructuras fue la medición de los espesores de cada una de las capas que forman las heteroestructuras. Para realizar esta medición fue necesario grabar selectivamente las capas de GaAs para definirlas y asi poder hacer la medición. Esto se hizo mediante el uso de una solución compuesta de NH4OH:H₂O:H₂O en proporción 1:5:25. Al realizar el ataque quimico se determinó la velocidad de grabado del GaAs como 2.5 µm/min, lo que nos permite de acuerdo al espesor nominal reportado para las capas de GaAs aplicar un tiempo óptimo para decaparlas. El decapado nos permitió por un lado medir los espesores de las capas y por el otro hacer un estudio comparativo de la morfologia superficial de las capas de Ge. De este análisis se obtuvo, que conforme aumenta el espesor de las capas de Ge y disminuye el de las capas de GaAs la definición de las capas que forman la heteroestructura mejora, y la morfologia superficial se torna más suave. Para complementar el estudio de las heteroestructuras se realizó el análisis de las mismas mediante la caracterización de la composición elemental de algunas muestras con un sistema de Espectroscopia de Energia Dispersiva de rayos-x (EDS) que nos permitió detectar mediante un mapeo elemental que los tres elementos Ga, As y Ge se encontraban presentes en cada una de las multicapas. Finalmente por medio de perfiles de profundidad AES se comprobó que tanto las capas de GaAs como de Ge no son puras ya que las capas de GaAs contienen una cierta concentración de Ge al igual que las capas de Ge contienen un porcentaje de GaAs.