Browsing by Author "Huixtlaca Quintana, Mauricio"

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    Tesis de licenciatura
    Adquisición y transmisión de datos de microsensores de flujo
    (Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 2019-02) Huixtlaca Quintana, Mauricio; Mauricio; 0009-0009-9016-3316; Arroyo Díaz, Salvador Antonio; 0000-0003-4970-5450
    "Como parte del proyecto de diseño y fabricación de microsensores de flujo para cuidados neonatales, se ha diseñado y fabricado una parte del sensor de flujo, caracterizándose hasta el momento, las variables eléctricas. Esta parte del sensor, está fabricada sobre una superficie de silicio mecanizada para dejar pasar un flujo de gas, y sobre esta rejilla se deposita metal por medio de procesos de fotolitografía. Para este sensor (Sistema micro-electromecánico), se utiliza la técnica de alambre caliente o Hot-Wire, que consiste en que el flujo del gas enfríe el metal previamente elevado a cierta temperatura por efecto Joule, de tal manera que el cambio de temperatura será proporcional al flujo que circula por él. Se requiere para la etapa de caracterización dinámica del sistema micro-electromecánico, una etapa de procesamiento y de comunicación digital hacia la computadora, para analizar los datos de la caracterización dinámica. Para la caracterización dinámica se adquirió el kit de desarrollo eZ430-RF2500 de Texas Instruments, cuyas tarjetas están integradas por un microcontrolador, un transceptor inalámbrico y un programador e interfaz USB, con el fin de adquirir, procesar, transmitir y analizar los datos de la caracterización".
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    Tesis de maestría
    Optimización eléctrica de transistores túnel FET de película delgada con nitruros mediante simulaciones numéricas
    (Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, 2022-03-10) Huixtlaca Quintana, Mauricio; DOSSETTI ROMERO, VICTOR; 123499; ALVARADO PULIDO, JOSE JOAQUIN; 43237
    "Los transistores de tunelamiento FET, han surgido como una alternativa a las tecnolo gías actuales por su velocidad de conmutación y ultra bajo consumo de energía, lo cual la vuelve la tecnología idónea en cómputo, esto debido a su pendiente de subumbral menor a 60 mV/década. En este trabajo se simulará y obtendrá un modelo para un transistor de película delgada GaN, mediante el programa TCAD (Technology computer-aided design) SILVACO, para generar un modelo circuital que nos ayude a simular en un entorno de circuitos eléctricos los transistores, que en un futuro se fabricarán".