Espectro de radiación luminisciente de Ga1-xA1xAs: Si en el régimen de alta excitación

dc.audiencegeneralPublic
dc.contributor.advisorZehe Alfred
dc.contributor.authorChávez Moguel Elizabeth
dc.coverage.placeTesiteca Biblioteca Central 3er. piso
dc.date.accessioned2026-09-30T17:43:11Z
dc.date.available2026-09-30T17:43:11Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractAnálisis de los espectros de radiación por recombinación radiativa en semiconductores y descripción matemática de las principales transiciones radiativas y no radiativas. Se estudia la estructura de bandas energéticas para identificar las transiciones más frecuentes y se analizan tres de ellas mediante sus respectivos espectros de radiación. El contenido proporciona fundamentos sobre los procesos de recombinación en semiconductores, relevantes para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos como láseres y LEDs.
dc.identifier.bibrecordLELE2002 C4 E8
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/33904
dc.language.isospa
dc.publisherBenemérita Universidad Autonóma de Puebla
dc.rights.accesrestrictedAccess
dc.subject.lccRecombinación de portadores de carga
dc.subject.lccEspectros de luminiscencia
dc.subject.lccSemiconductores
dc.subject.lccOptoelectrónica
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónica
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónica
dc.titleEspectro de radiación luminisciente de Ga1-xA1xAs: Si en el régimen de alta excitación
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.degreeLicenciatura
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