Detección de temperatura a distancia mediante un sensor piroelecrico en procesos de Spray -Pirolisis
Date
2005
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"En muchos casos de investigación en materiales y procesos para la fabricación de dispositivos semiconductores, existe la necesidad de establecer contactos eléctricos (óhmicos) para la polarización y la salida de señal eléctrica, en el CIDS - ICUAP se realizan depósitos de óxidos conductores transparentes por medio de la técnica de Spray Pirolisis. Esta técnica consiste en el rocío de una solución química sobre algún substrato, donde el material depositado, es el producto de la reacción química desarrollada en el espacio inmediato al sustrato, el cual se encuentra a temperatura elevada ( 450 °C); la calidad de la película de óxido depositado, por su transparencia y la conductividad, dependen del control de la concentración de la solución, de la distancia de la boquilla del Fociador, del flujo de aire de transporte del rocío utilizado y de la temperatura; particularmente en la temperatura se tiene el problema, que al momento del rociado esta temperatura baja, y aunque se emplea un control PID, se presenta un gradiente momentáneo que se desearía disminuir o por lo menos conocer para caracterizar la calidad de las películas en función de este gradiente. Normalmente la medición de la temperatura se hace con un termopar colocado en la placa calefactora, sin embargo la lectura de la temperatura directamente en el sustrato es más adecuada para la caracterización de este proceso.
En este trabajo se desarrolla un sistema detector de temperatura en el substrato, que no implique el contacto mecánico a distancia, para no alterar los parámetros del proceso. En general en tecnología de semiconductores, es importante el conocimiento de la temperatura real sobre las muestras en las que se desarrolla algún proceso de ataque químico, de depósito, crecimiento o difusión."