Estudio de las propiedades eléctricas de las películas de SiO2 crecidas sobre sustratos de silicio por el proceso Sol-Gel para aplicación en dispositivos MOS

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributor.advisorDíaz Becerril, Tomás
dc.contributor.authorMárquez Marín, Joaquín
dc.coverage.placeTesiteca, Biblioteca Central 3er. piso
dc.date.accessioned2026-06-23T22:01:25Z
dc.date.available2026-06-23T22:01:25Z
dc.date.issued1998-07
dc.description.abstractExiste muy poco reportado en la literatura sobre el uso de películas de SiO2 depositadas sobre este proceso en sustratos de silicio con el objetivo de aplicarlas en dispositivos MOS. En este trabajo se presenta un estudio de la dependencia que tiene la composición de los reactivos involucrados en el proceso, en particular con una razón agua: TEOS de 11.6 con tres concentraciones de catalizador (HF), sobre las propiedades ópticas, eléctricas y de la morfología de la superficie de la película. En el capítulo 2 se hace una revisión sobre el proceso SOL-GEL, el cual es objeto de estudio de este trabajo, en cuanto a los principios de formación de películas y las características de estas. En el capítulo 3 se analizan los fundamentos de la estructura MOS. En el capítulo 4 se hace una revisión de los principios sobre los cuales se basan las técnicas de caracterización, AFM, elipsometría y FTIR, empleadas para el análisis de las películas de SiO2 depositadas por el proceso sol-gel. En el capítulo 5 se describe la manera en que fueron preparadas las muestras para el estudio de las películas. En el capítulo 6 se presentan los resultados obtenidos y se comparan con resultados reportados en la literatura para películas crecidas por otros procesos. En el capítulo 7 se presentan las conclusiones y contribuciones de este trabajo.
dc.identifier.bibrecordLELE1998 M3 E8
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/33224
dc.language.isospa
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesrestrictedAccess
dc.subject.lccSilicio —Física de las radiaciones—Luminiscencia—Electroluminiscencia —Dispositivos electroluminiscentes—Interferencia—Electroóptica aplicada—Optoelectrónica
dc.subject.lccComunicación por fibra óptica—Cuarzo—Redes de sensores —Análisis técnico—Equipos de procesamiento de señales—Espectroscopia de reflectancia—Conductividad eléctrica—Semiconductores—Electricidad y magnetismo—Fotónica
dc.subject.lccFísica de semiconductores—Óptica aplicada
dc.thesis.careerLicenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónica
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Electrónica
dc.titleEstudio de las propiedades eléctricas de las películas de SiO2 crecidas sobre sustratos de silicio por el proceso Sol-Gel para aplicación en dispositivos MOS
dc.typeTesis de licenciatura
dc.type.degreeLicenciatura
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