Diseño y construcción de un sistema de epitaxia en ease léquida para crecimientos de películas semiconductoras de materiales III-V
Date
2001
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
"En este trabajo de Tesis, se diseñó y construyó un sistema de crecimiento de Epitaxia en Fase Líquida (Liquid Phase Epitaxy) para compuestos semiconductores III-V. Las capas crecidas epitaxialmente son susceptibles a ser usadas en dispositivos optoelectrónicos. El sistema de EFL (Epitaxia en Fase Líquida), presenta una alta hermeticidad. Se ha logrando que la cámara de crecimiento esté a prueba de fugas y se puedan obtener capas epitaxiales a temperaturas tan bajas como lo permitan los diagramas de fase.
Hemos revisado la literatura especializada y observamos que, en el caso del crecimiento de capas epitaxiales del compuesto ternario Al Ga.xSb sobre GaSb, normalmente las temperaturas de crecimiento son mayores a 450°C. Esto se puede explicar si tomamos en cuenta que el GaSb y sus aleaciones ternarias y cuaternarias se oxidan fácilmente.
Nuestra cámara de crecimiento se probó en cada unas de sus partes del sistema de gases, para garantizar que se encuentra libre de fugas, para lo cual es posible obtener excelentes capas epitaxiales a temperaturas tan bajas como 250°C y sobre todo que estos experimentos son en grado máximo repetitibles.
Por tanto, el sistema de crecimiento que se presenta en ésta Tesis se probó con múltiples experimentos epitaxiales del compuesto ternario de AlGaSb/GaSb a temperaturas tan bajas como las reportadas en la literatura. Por lo tanto, el obtener éstas capas nos permite concluir que nuestro sistema contiene, en efecto, una cámara de crecimiento de alta pureza."