Los defectos extendidos y su influencia sobre las propiedades ópticas del semiconductor
Date
1998
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
El apropiado conocimiento y control de uno u otro proceso (radiativo o no radiativo) pueden dar como resultado la fabricación de dispositivos electroluminiscentes con silicio, mismos que están en el rango de aplicación para comunicación por fibra óptica de cuarzo. Sin embargo, el trabajo para el desarrollo de estos dispositivos es mucho y se requiere separarlo en bloques. En este trabajo nos limitamos al estudio de la fotoluminiscencia de los defectos extendidos para determinar las condiciones tecnológicas bajo las cuales se presentan picos luminiscentes en silicio.
El presente trabajo está organizado de la siguiente manera: en el capítulo dos, se hace una revisión de los principales defectos en semiconductores y de los centros g-r asociados a ellos, además de los principales procesos de emisión radiativos en semiconductores. En el capítulo tres, métodos experimentales de medición, se describe brevemente la teoría de fotoluminiscencia y las bases para el revelado químico de defectos. El capítulo cuatro describe el procedimiento experimental para la preparación de muestras usadas en este trabajo. En el capítulo cinco se dan resultados, así como la discusión de estos. Por último, en el capítulo seis se dan las conclusiones del trabajo.