Estudio de las propiedades fotoluminiscentes, eléctricas y de fotorrespuesta del ZnO monocristalino impurificado con Cu

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorLuna López, José Alberto
dc.contributorHernández de la Luz, José Álvaro David
dc.contributorJuárez Díaz, Gabriel
dc.contributor.advisorLuna López, José Alberto; 0000-0002-7647-3184
dc.contributor.advisorHernández de la Luz, José Álvaro David; 0000-0002-7913-0240
dc.contributor.advisorJuárez Díaz, Gabriel; 0000-0001-5856-3285
dc.contributor.authorRamírez Márquez, Janet
dc.creatorRamírez Márquez, Janet; 0009-0007-3770-0528
dc.date.accessioned2026-07-06T19:33:09Z
dc.date.available2026-07-06T19:33:09Z
dc.date.issued2026-01-12
dc.description.abstract"En la caracterización de los sustratos sin dopar, por difracción de rayos X (DRX) y espectroscopia Raman se corroboró que el material es ZnO tipo Wurtzita con alta calidad cristalina con orientación única, propia de un monocristal, mediante microscopia electrónica de barrido (SEM), se observaron diferencias entre la cara de oxígeno (0001̅) y la cara de zinc (0001), siendo la cara de oxígeno la más regular y especular, también por fotoluminiscencia se observaron diferencias entre las caras, en donde la de oxígeno presenta mayor intensidad y mejor relación entre banda UV y banda visible en comparación con la de zinc, lo que indica menor presencia de defectos puntuales en la cara de oxígeno. Debido a estos primeros resultados la cara de oxígeno se eligió para realizar la difusión de cobre. Respecto a las propiedades eléctricas obtenidas por efecto Hall en los sustratos, todos fueron tipo n, sin diferencias significativas entre las caras, con una concentración de portadores promedio del orden de 1016 cm-3, resistividad promedio de orden 10-1 ohm-cm y movilidad promedio de orden 10+2 cm2 /V-s. Los resultados sirven como aportación en el estudio de las propiedades intrínsecas de transporte electrónico y respuesta optoelectrónica en dispositivos semiconductores de ZnO monocristalino con efectos mínimos asociados a defectos estructurales y fronteras de grano".
dc.folio20260113111914-9868-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/33343
dc.language.isospa
dc.matricula.creator221570364
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccQuímica--Cristalografía--Propiedades físicas de los cristales--Propiedades eléctricas
dc.subject.lccElectrónica--Electrónica--Aparatos y materiales--Materiales (generales)--Especiales--Zinc
dc.subject.lccFísica--Física de la radiación (General)--Luminiscencia--Fotoluminiscencia QC476.8 Óxido de zinc
dc.subject.lccCristales--Propiedades térmicas
dc.subject.lccCristales--Propiedades eléctricas
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleEstudio de las propiedades fotoluminiscentes, eléctricas y de fotorrespuesta del ZnO monocristalino impurificado con Cu
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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