Análisis estructural, composicional y eléctrico de heteroestructuras ITO/BiFeO3/Si

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorLuna López, José Alberto
dc.contributorMonfil Leyva, Karim
dc.contributor.advisorLuna López, José Alberto; 0000-0002-7647-3184
dc.contributor.advisorMonfil Leyva, Karim; 0000-0002-4370-5655
dc.contributor.authorVázquez Zúñiga, Jaqueline
dc.date.accessioned2026-06-02T17:04:32Z
dc.date.available2026-06-02T17:04:32Z
dc.date.issued2025-11
dc.description.abstract“En este trabajo de investigación se utilizó la ferrita de bismuto (BiFeO3) también conocida como BFO, la cual es uno de los pocos materiales que presentan propiedades ferromagnéticas y ferroeléctricas a temperatura ambiente. El propósito de este estudio fue conocer las propiedades eléctricas de las heteroestructuras tipo MOS, las cuales fueron depositadas utilizando la técnica de rocío pirolítico ultrasónico la cual presenta bastantes ventajas. Esta técnica ofrece múltiples beneficios incluyendo una reducción en los costos y una mayor eficiencia en la producción a gran escala. Para cumplir el objetivo de investigación, se implementó la fabricación de siete soluciones distintas de BFO, donde para cada una de ellas se realizó una variación en la cantidad de nitrato de bismuto utilizado para su preparación. Además, se establecieron diversos tiempos de depósito y se emplearon dos tipos de sustratos (silicio tipo n y tipo p) con el fin de evaluar sus propiedades eléctricas y morfológicas mediante diversas técnicas. Utilizando la técnica de difracción de rayos X se corroboró la obtención del material requerido con fase cristalina hexagonal, además de la presencia de picos de óxido de bismuto y con micro Raman se identificaron los 13 modos activos reportados para el BFO, donde se encuentran 4 modos A y 9 modos E”.
dc.folio20251125155045-3238-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/32744
dc.language.isospa
dc.matricula.creator223470527
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccFísica--Electricidad y magnetismo--Electricidad--Electrostática--Ferroelectricidad--Obras generales, tratados y libros de texto
dc.subject.lccCristales ferroeléctricos--Análisis
dc.subject.lccMateriales ferromagnéticos--Propiedades
dc.subject.lccHeteroestructuras--Propiedades eléctrica
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleAnálisis estructural, composicional y eléctrico de heteroestructuras ITO/BiFeO3/Si
dc.typeTesis de maestría
dc.type.conacytmasterThesis
dc.type.degreeMaestría
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