Propiedades Ópticas y Électricas de Películas Semiconductoras de PbS impurificadas con Er₃₊ Depositadas por Baño Químico
| dc.audience | generalPublic | |
| dc.contributor.advisor | Palomino Merino, Martín Rodolfo | |
| dc.contributor.advisor | Dávila Pintle, José Antonio | |
| dc.contributor.author | Torres Kauffman, Julián Gerardo | |
| dc.coverage.place | Biblioteca Central 3er. piso | |
| dc.date.accessioned | 2026-10-01T18:18:06Z | |
| dc.date.available | 2026-10-01T18:18:06Z | |
| dc.date.issued | 2002 | |
| dc.description.abstract | La presente tesis se enfoca en el crecimiento y caracterización de películas delgadas de sulfuro de plomo (PbS) dopadas con iones de erbio (Er³⁺), con el propósito de analizar las modificaciones que produce la incorporación de este elemento en las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas del material semiconductor. El estudio se desarrolla dentro del campo de la ciencia y tecnología de materiales, área de relevancia para la generación de nuevos materiales con propiedades específicas y potencial de aplicación en sistemas electrónicos y optoelectrónicos. Para la obtención de las películas se emplea la técnica de Deposición por Baño Químico (DBQ), mediante la cual se logra el crecimiento policristalino de PbS aun después de incorporar iones de Er³⁺ como dopante. El trabajo experimental comprende la preparación de tres muestras de PbS:Er³⁺ con diferentes concentraciones de dopamiento y una muestra de PbS sin dopar, utilizada como referencia. De esta manera, es posible comparar las características del material convencional con las modificaciones producidas por la presencia del erbio y con resultados previamente reportados para este tipo de semiconductor. La investigación comprende dos etapas experimentales principales. La primera corresponde al crecimiento de las películas delgadas de PbS y PbS:Er³⁺ mediante las modificaciones necesarias a la técnica de baño químico para incorporar el dopante a partir de sales inorgánicas. La segunda etapa se concentra en la caracterización de las muestras obtenidas, empleando diversas técnicas experimentales que permiten estudiar sus propiedades desde distintas perspectivas. La caracterización se realiza mediante difracción de rayos X, espectroscopía UV-VIS, conductividad eléctrica, termopotencia y microscopía de fuerza atómica. Estas técnicas permiten analizar aspectos relacionados con la estructura cristalina, comportamiento óptico, propiedades eléctricas y características morfológicas de las películas. Las mediciones se efectuaron utilizando infraestructura de distintas instituciones, entre ellas la Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP), el Instituto de Investigaciones en Materiales de la Universidad Nacional Autónoma de México (UNAM) y el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados (CINVESTAV). La tesis se estructura en cuatro capítulos. En el primero se presentan los antecedentes y la importancia de los materiales semiconductores obtenidos mediante diferentes técnicas de deposición, con especial atención al PbS. El segundo desarrolla los fundamentos teóricos de la deposición por baño químico, los semiconductores y las técnicas utilizadas para su caracterización. El tercer capítulo describe detalladamente el procedimiento experimental empleado para obtener y estudiar las películas. Finalmente, el cuarto capítulo presenta y analiza los resultados experimentales, estableciendo las diferencias observadas entre el PbS sin dopar y el PbS dopado con Er³⁺, además de exponer las conclusiones y recomendaciones derivadas de la investigación. En conjunto, el trabajo permite evaluar el efecto de la incorporación de iones de erbio sobre las propiedades del sulfuro de plomo y aporta información experimental para el estudio y desarrollo de películas delgadas semiconductoras con características ópticas, eléctricas y estructurales modificadas | |
| dc.identifier.bibrecord | LELE2002 T6 P7 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/33935 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
| dc.rights.acces | restrictedAccess | |
| dc.subject.lcc | Dopaje de semiconductores--Láseres YAG dopados con erbio---Películas delgadas--Reconocimiento de patrones ópticos | |
| dc.subject.lcc | Propiedades ópticas y superficies--propiedades ópticas según sustancias químicas individuales | |
| dc.subject.lcc | Grupos de sustancias químicas y materiales individuales--tipos de materiales | |
| dc.thesis.career | Licenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica) | |
| dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
| dc.thesis.degreegrantor | Facultad de Ciencias de la Electrónica | |
| dc.thesis.degreetoobtain | Licenciado (a) en Electrónica | |
| dc.title | Propiedades Ópticas y Électricas de Películas Semiconductoras de PbS impurificadas con Er₃₊ Depositadas por Baño Químico | |
| dc.type | Tesis de licenciatura | |
| dc.type.degree | Licenciatura |