Índice de refracción de heteroestructuras semiconductoras
| dc.audience | generalPublic | |
| dc.contributor.advisor | Herrera Pérez, José Luis | |
| dc.contributor.advisor | Hernández Cocoletzi, Gregorio | |
| dc.contributor.author | Reyes Betanzo, Claudia | |
| dc.coverage.place | Biblioteca Central 3er. piso | |
| dc.date.accessioned | 2026-06-22T21:15:13Z | |
| dc.date.available | 2026-06-22T21:15:13Z | |
| dc.date.issued | 1996-05 | |
| dc.description.abstract | El índice de refracción es un parámetro de gran importancia en aplicaciones tecnológicas tales como el diseño de láseres de heteroestructuras y otros dispositivos optoelectrónicos como fotodiodos y celdas solares, debido a que determina la capacidad con que la onda es guiada en la capa activa del dispositivo. Conocer el índice de refracción n y su variación con la composición del material y la longitud de onda es fundamental para entender el comportamiento de cualquier dispositivo. Para poder determinar el índice de refracción de nuestras películas empleamos un método óptico de caracterización basado en las mediciones directas de la reflectancia de la luz polarizada p en función del ángulo de incidencia; la variación del ángulo es en la vecindad del ángulo de Brewster. Los ajustes teóricos de las formas de líneas de los espectros de la reflectancia en función del ángulo de incidencia y del índice de refracción en función de la energía se hicieron mediante el método de la matriz de transferencia y la ley de Brewster. En el capítulo 1 presentamos la parte teórica desarrollada para determinar n. En el capítulo 2 mostramos el arreglo experimental para las mediciones de la reflectancia y la forma en que fueron procesados a través de una computadora. En el capítulo 3 vemos el método de la matriz de transferencia. En el capítulo 4 mostramos nuestros resultados y finalmente en el capítulo 5 presentamos nuestras conclusiones. | |
| dc.identifier.bibrecord | LELE1996 R4 I5 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/33114 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
| dc.rights.acces | restrictedAccess | |
| dc.subject.lcc | Ingeniería eléctrica—Electrónica—Ingeniería nuclear—Electrónica—Aparatos y materiales—Semiconductores—Física—Electricidad y magnetismo—Electricidad—Corriente eléctrica | |
| dc.subject.lcc | Física de semiconductores—Redes de sensores —Análisis técnico—Equipos de procesamiento de señales—Espectroscopia de reflectancia—Conductividad eléctrica | |
| dc.subject.lcc | Índices de refracción—Películas delgadas | |
| dc.thesis.career | Licenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica) | |
| dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
| dc.thesis.degreegrantor | Facultad de Ciencias de la Electrónica | |
| dc.thesis.degreetoobtain | Licenciado (a) en Electrónica | |
| dc.title | Índice de refracción de heteroestructuras semiconductoras | |
| dc.type | Tesis de licenciatura | |
| dc.type.degree | Licenciatura |