Efecto del esfuerzo mecánico sobre una estructura TFT con óxido de zinc (ZnO) como capa activa

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorMozo Vargas, José Juan Martín
dc.contributorAlcántara Iniesta, Salvador
dc.contributor.advisorMozo Vargas, José Juan Martín; 0009-0008-0877-3944
dc.contributor.advisorAlcántara Iniesta, Salvador; 0000-0001-9759-9694
dc.contributor.authorRincón Suárez, Eliseo
dc.date.accessioned2026-05-08T21:13:45Z
dc.date.available2026-05-08T21:13:45Z
dc.date.issued2025-10-21
dc.description.abstract"Este trabajo investiga el efecto piezorresistivo inducido por deformación mecánica en el canal de transistores de película delgada (TFT) de ZnO fabricados por espray pirólisis ultrasónico (EPU) sobre sustratos de Si/SiO₂ tipo “trampolín”. El enfoque combina el bajo costo y la simplicidad del EPU—proceso en atmósfera abierta y sin vacío—con la compatibilidad planar para la microfabricación. Se depositaron películas de ZnO (y, para comparación, ZnO:Ni) y se integró Al₂O₃ como dieléctrico; los contactos (FTO/Al) se definieron en arquitectura MOS-TFT. Las películas se caracterizaron estructuralmente (XRD), morfológicamente (SEM, AFM/KPFM), ópticamente (UV-Vis) y eléctricamente (efecto Hall; curvas I–V bajo distintos sesgos). El dispositivo se montó en configuración de cantiléver, aplicando carga controlada en el extremo libre para imponer esfuerzo tensión/compresión y distintos radios de curvatura. Se correlacionaron tamaño, espesor y geometría del trampolín, así como condiciones de depósito (tiempo, concentración, caudal/gas portador), con parámetros del TFT. Además, se analizan mecanismos de transporte (Schottky, Poole–Frenkel y Fowler–Nordheim) para explicar la modulación de la conducción bajo esfuerzo. Los resultados establecen una ventana elástica de operación y lineamientos de diseño para sensores de deformación basados en TFT de ZnO, evidenciando la viabilidad de esta plataforma para el sensado mecánico y su potencial integración en electrónica flexible y MEMS".
dc.folio20251105124827-2126-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/32262
dc.language.isospa
dc.matricula.creator221570104
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccIngeniería eléctrica--Electrónica--Aparatos y materiales--Semiconductores--Transistores--Otros--Película delgada
dc.subject.lccTransistores de película delgada--Investigación
dc.subject.lccPelículas delgadas de óxido de zinc
dc.subject.lccPiezoelectricidad
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductores
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Ciencias
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Dispositivos Semiconductores
dc.titleEfecto del esfuerzo mecánico sobre una estructura TFT con óxido de zinc (ZnO) como capa activa
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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