Estudio de la inhibición de la luminiscencia en sistemas basados en silicio poroso para su aplicación en sensores de concentración

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dc.audiencegeneralPublic
dc.contributorLazcano Ortiz, Zorayda
dc.contributorMeza Espinoza, Luis Octavio
dc.contributor.advisorMeza Espinoza, Luis Octavio; 0000-0001-9092-9435
dc.contributor.authorHernández Ireta, José Esteban
dc.creatorHernández Ireta, José Esteban; 0009-0002-1320-4822
dc.date.accessioned2026-10-06T17:12:23Z
dc.date.available2026-10-06T17:12:23Z
dc.date.issued2025-12
dc.description.abstract"Se desarrolló un modelo teórico para describir la inhibición de fotoluminiscencia (PL) en silicio poroso (SIP) en presencia de dos especies inhibidoras actuando simultáneamente, extendiendo el modelo clásico de Stern-Volmer mediante términos independientes para cada inhibidor y la consideración del efecto de atenuación óptica. El modelo establece que I₀/Iᵢ = exp(1.1515Aλ) · (1 + KA[A] + KB[B]), donde cada inhibidor contribuye de forma aditiva e independiente a la extinción dinámica. La ausencia de efectos de sinergia y antagonistas fue confirmada experimentalmente, validando el tratamiento como canales de inhibición independientes. Se sintetizaron películas de SiP mediante anodización electroquímica con parámetros optimizados por diseño factorial. La caracterización Raman reveló tamaños de cristalito entre 8 y 12 nm, consistentes con el régimen de confinamiento cuántico. La pasivación con H₂O₂ proporcionó estabilidad química en medio acuoso. La reversibilidad del sensor fue confirmada mediante ciclos de exposición-lavado, con recuperación del 94±1% de la señal inicial, validando el mecanismo de inhibición predominantemente dinámico. El modelo fue ajustado mediante regresión múltiple empleando 30 combinaciones binarias de antraquinona-2-sulfonato de sodio (AQS) y 1,4-naftoquinona (NFQ), obteniendo constantes de Stern-Volmer de KAQS = 8076±313 M⁻¹ y KNFQ = 12431±245 M⁻¹ (R² = 0.9591). La validación cruzada con 30 iteraciones confirmó la capacidad de generalización del modelo (R² = 0.9492±0.0064)".
dc.folio20260317154230-0145-T
dc.formatpdf
dc.identificator1
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/33967
dc.language.isospa
dc.matricula.creator221570434
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Puebla
dc.rights.accesopenAccess
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.subject.lccFísica--Física de la radiación (General)--Luminiscencia--Fotoluminiscencia (General)
dc.subject.lccSilicio poroso--Síntesis
dc.subject.lccSilicio poroso--Propiedades ópticas
dc.subject.lccFotoluminiscencia--Invetigación
dc.subject.lccQuinona
dc.thesis.careerDoctorado en Ciencias (en la Especialidad de Ciencia de Materiales)
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactas
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Física "Ing. Luis Rivera Terrazas"
dc.thesis.degreetoobtainDoctor (a) en Ciencias (Ciencia de Materiales)
dc.titleEstudio de la inhibición de la luminiscencia en sistemas basados en silicio poroso para su aplicación en sensores de concentración
dc.typeTesis de doctorado
dc.type.conacytdoctoralThesis
dc.type.degreeDoctorado
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Tesis de Doctorado