Grabado de silicio por MACE asistido por campo eléctrico transversal

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorGómez Barojas, Estela
dc.contributor.advisorGOMEZ BAROJAS, ESTELA; 3199
dc.contributor.authorMontes Duarte, Grecia Guadalupe
dc.date.accessioned2023-03-24T16:51:10Z
dc.date.available2023-03-24T16:51:10Z
dc.date.issued2022-10-12
dc.description.abstract"En este trabajo se estudió el efecto que tiene la aplicación de un campo eléctrico transversal durante el grabado químico asistido por metal (MACE). Los resultados obtenidos demostraron que la aplicación de un potencial o una corriente eléctrica de manera transversal mejora las propiedades del grabado, al aumentar considerablemente la profundidad de los poros y con ella la velocidad a la que fueron grabados; además de mejorar la relación de aspecto de las estructuras al disminuir la micro-porosidad en sus paredes. Estos cambios se debieron al aumento del tamaño de la región de carga espacial formada en las paredes de los poros, la cual actuó como una barrera para la inyección lateral de huecos y provocó que la mayoría de estos portadores se inyectaran en la interfaz metal-Si. Gracias al desarrollo de esta nueva técnica, se obtuvieron por primera vez poros cilíndricos perfectamente delimitados utilizando Cu como metal catalizador en el método MACE; lo cual demostró el potencial que tiene esta técnica para promover grabados en donde se utilicen metales que no suelen formar poros largos ni definidos".es_MX
dc.folio20221014143912-4530-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/17974
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator220470138es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccFotolitografíaes_MX
dc.subject.oclcLitografía (Microfabricación)es_MX
dc.subject.oclcSoluciones alcalinases_MX
dc.subject.oclcPozos isotrópicoses_MX
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.titleGrabado de silicio por MACE asistido por campo eléctrico transversales_MX
dc.typeTesis de maestríaes_MX
dc.type.conacytmasterThesises_MX
dc.type.degreeMaestríaes_MX
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