Determiación de la concentración de portadores por reflectividad en el infrarojo en compuestos semiconductores ternarios III-V
Date
2006
Authors
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Publisher
Benemérita Universidad Autónoma de Puebla
Abstract
En esta Tesis, se hace un estudio del crecimiento y caracterización de capas epitaxiales del material semiconductor ternario AzGa1-Sb obtenidas por la técnica de Epitaxia desde la Fase Líquida (LPE) crecidas sobre sustratos de GaSb de orientación (100). Los crecimientos de las capas se llevaron a cabo manteniendo la misma temperatura de saturación, 400° C, con la variación de la fracción atómica x del aluminio de 0.065 hasta 0.7. Debido a que comercialmente no existen sustratos de GaSb semiaislantes, la caracterización de estas capas se llevó a cabo por la técnica de reflectividad en el infrarrojo para calcular la concentración de portadores de las capas ternarias obtenidas por epitaxia desde la fase líquida. Los espectros se ajustaron a la curva teórica de reflectividad expandiendo la constante dieléctrica de alta frecuencia de la solución sólida ternaria en una combinación lineal de las respectivas constantes dieléctricas de los compuestos binarios. También se les hizo estudios de Difracción de Rayos X de alta Resolución (HRXRD) lo cual nos permite observar la influencia del Aluminio en la concentración de portadores en la solución solida obtenida. En cuanto a la morfología superficial que exhiben las capas epitaxiales obtenidas estas fueron lisas, planas y de aspecto como espejo con los rasgos característicos de la técnica de Epitaxia desde la Fase Líquida reportados en la literatura.