Obtención de un dispositivo electroluminiscente a partir de ZnO impurificado con tantalio

Simple item page
dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorDíaz Becerril, Tomás
dc.contributorGaleazzi Isasmendi, Reina
dc.contributor.advisorGALEAZZI ISASMENDI, REINA; 241164
dc.contributor.authorHerrera Herrera, Victor Hugo
dc.creatorHERRERA HERRERA, VICTOR HUGO; 586617
dc.date.accessioned2021-04-09T18:21:47Z
dc.date.available2021-04-09T18:21:47Z
dc.date.issued2021-01
dc.description.abstract“En el presente trabajo, se describe la investigación realizada durante el periodo de doctorado realizado en el Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores (CIDS) de la BUAP. El trabajo en cuestión expone la fabricación de un dispositivo electroluminiscente fabricado a base de silicio, usando para esto, un composito formado por una mezcla de óxidos de silicio (SiOx), óxidos de tantalio (TaOx), y óxido de zinc (ZnO), para lo cual, se utilizó como material fuente una mezcla de polvos de ZnO y pentóxido de tantalio (Ta2O5), este dispositivo se creció y caracterizó sobre sustratos de silicio. No está de más recordar, que el silicio es uno de los materiales más utilizados actualmente en la industria de la electrónica, con el cuál se pueden fabricar infinidad de componentes tanto pasivos como activos, tales como resistencias, capacitores, diodos, transistores, e incluso componentes más complejos que actualmente se están desarrollando en la industria tecnológica, tales como circuitos integrados, procesadores, microcontroladores, sistemas micro electromecánicos (MEMS), matrices de compuertas lógicas programables de campo o FPGA’s por sus siglas en inglés (Field Programmable Gate Array), sensores, etc. dichos componentes utilizados cada vez más y más, en casi todas las áreas que habita el ser humano1–3.”es_MX
dc.folio20210127113828-5449-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/11988
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator216570767es_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccSemiconductoreses_MX
dc.subject.lccPelículas delgadas de óxido de zinces_MX
dc.subject.lccElectroluminiscencia--Congresoses_MX
dc.subject.lccIndustrias--Innovaciones tecnológicases_MX
dc.subject.lccCircuitos eléctricoses_MX
dc.thesis.careerDoctorado en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.degreetoobtainDoctor(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.titleObtención de un dispositivo electroluminiscente a partir de ZnO impurificado con tantalioes_MX
dc.typeTesis de doctoradoes_MX
dc.type.conacytdoctoralThesises_MX
dc.type.degreeDoctoradoes_MX
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Name:
20210127113828-5449-CARTA.pdf
Size:
513.38 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Thumbnail Image
Name:
20210127113828-5449-T.pdf
Size:
4.05 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
Collections
Tesis de Doctorado