Crecimiento de nanoalambres de ZnO dopados con Ga, Al e In por el método hidrotermal y su evaluación de defectos
dc.audience | generalPublic | es_MX |
dc.contributor | Pal, Umapada | |
dc.contributor.advisor | PAL, UMAPADA; 16774 | |
dc.contributor.author | Ramírez Daza de la Torre, Aarón Armando | |
dc.date.accessioned | 2020-10-13T20:54:18Z | |
dc.date.available | 2020-10-13T20:54:18Z | |
dc.date.issued | 2018-05 | |
dc.description.abstract | “El estudio de las propiedades físicas de materiales a escala nanométrica ha sido de gran interés debido a que el comportamiento de los materiales cambia respecto al material en bulto, por lo que la comprensión de estas propiedades es una herramienta muy útil para la aplicación de nanoestructuras en diversas áreas por ejemplo en optoelectrónica. Debido a la combinación de las propiedades ópticas, piezoeléctricas y eléctricas de las nanoestructuras de ZnO dopadas, se vuelven de alto interés sus aplicaciones multifuncionales como sensores de gas, osciladores ultrasónicos, o electrodos transparentes (ventanas ópticas) en celdas solares. Ya que las características físicas y químicas de los dopantes afectan a la morfología, cristalinidad,propiedades eléctricas y ópticas de las nanoestructuras semiconductoras, en este trabajo se estudian los efectos de la incorporación de tres dopantes (In, Al y Ga) en la morfología, estructura y calidad cristalina de nanoestructuras unidimensionales de ZnO fabricadas mediante el método hidrotermal”. | es_MX |
dc.folio | 278918TL | es_MX |
dc.format | es_MX | |
dc.identificator | 7 | es_MX |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/8363 | |
dc.language.iso | spa | es_MX |
dc.matricula.creator | 200509985 | es_MX |
dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | es_MX |
dc.rights.acces | openAccess | es_MX |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | es_MX |
dc.subject.classification | INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA | es_MX |
dc.subject.lcc | Materiales nanoestructurados--Investigación | es_MX |
dc.subject.lcc | Óxidos metálicos | es_MX |
dc.subject.lcc | Semiconductores--Propiedades ópticas | es_MX |
dc.subject.lcc | Nanoestructuras--Propiedades eléctricas | es_MX |
dc.subject.lcc | Nanoestructuras--Propiedades ópticas | es_MX |
dc.subject.lcc | Dopaje de semiconductores--Investigación | es_MX |
dc.thesis.career | Licenciatura en Ingeniería en Mecatrónica | es_MX |
dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | es_MX |
dc.thesis.degreegrantor | Facultad de Ciencias de la Electrónica | es_MX |
dc.thesis.degreetoobtain | Ingeniero (a) en Mecatrónica | es_MX |
dc.title | Crecimiento de nanoalambres de ZnO dopados con Ga, Al e In por el método hidrotermal y su evaluación de defectos | es_MX |
dc.type | Tesis de licenciatura | es_MX |
dc.type.conacyt | bachelorThesis | es_MX |
dc.type.degree | Licenciatura | es_MX |