Crecimiento de nanoalambres de ZnO dopados con Ga, Al e In por el método hidrotermal y su evaluación de defectos

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorPal, Umapada
dc.contributor.advisorPAL, UMAPADA; 16774
dc.contributor.authorRamírez Daza de la Torre, Aarón Armando
dc.date.accessioned2020-10-13T20:54:18Z
dc.date.available2020-10-13T20:54:18Z
dc.date.issued2018-05
dc.description.abstract“El estudio de las propiedades físicas de materiales a escala nanométrica ha sido de gran interés debido a que el comportamiento de los materiales cambia respecto al material en bulto, por lo que la comprensión de estas propiedades es una herramienta muy útil para la aplicación de nanoestructuras en diversas áreas por ejemplo en optoelectrónica. Debido a la combinación de las propiedades ópticas, piezoeléctricas y eléctricas de las nanoestructuras de ZnO dopadas, se vuelven de alto interés sus aplicaciones multifuncionales como sensores de gas, osciladores ultrasónicos, o electrodos transparentes (ventanas ópticas) en celdas solares. Ya que las características físicas y químicas de los dopantes afectan a la morfología, cristalinidad,propiedades eléctricas y ópticas de las nanoestructuras semiconductoras, en este trabajo se estudian los efectos de la incorporación de tres dopantes (In, Al y Ga) en la morfología, estructura y calidad cristalina de nanoestructuras unidimensionales de ZnO fabricadas mediante el método hidrotermal”.es_MX
dc.folio278918TLes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator7es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/8363
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator200509985es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.lccMateriales nanoestructurados--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccÓxidos metálicoses_MX
dc.subject.lccSemiconductores--Propiedades ópticases_MX
dc.subject.lccNanoestructuras--Propiedades eléctricases_MX
dc.subject.lccNanoestructuras--Propiedades ópticases_MX
dc.subject.lccDopaje de semiconductores--Investigaciónes_MX
dc.thesis.careerLicenciatura en Ingeniería en Mecatrónicaes_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias de la Electrónicaes_MX
dc.thesis.degreetoobtainIngeniero (a) en Mecatrónicaes_MX
dc.titleCrecimiento de nanoalambres de ZnO dopados con Ga, Al e In por el método hidrotermal y su evaluación de defectoses_MX
dc.typeTesis de licenciaturaes_MX
dc.type.conacytbachelorThesises_MX
dc.type.degreeLicenciaturaes_MX
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