Adsorción de galio sobre una superficie de AlP(111): cálculos de la teoría funcional de la densidad

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorHernández Cocoletzi, Gregorio
dc.contributorGarcía Díaz, Reyes
dc.contributor.advisorHERNANDEZ COCOLETZI, GREGORIO; 5338
dc.contributor.advisorGARCIA DIAZ, REYES; 232713
dc.contributor.authorNava Blanco, Fernando Alejandro
dc.creatorNAVA BLANCO, FERNANDO ALEJANDRO; 738286
dc.date.accessioned2020-09-10T12:27:13Z
dc.date.available2020-09-10T12:27:13Z
dc.date.issued2018-08
dc.description.abstract"En la tesis se realizan cálculos a primeros principios para estudiar la estructura atómica y electrónica de la adsorción e incorporación del galio (Ga) en la superficie (111) del fosfuro de aluminio (AlP) con periodicidad (2x2), así también como la formación de películas delgadas de fosfuro de galio (GaP) sobre la superficie AlP(111)-(2x2). Se estudiaron las coberturas de Ga que se considera son de 1/4, 1/2, 3/4 y 1 monocapa. Los resultados indican que, para cada cobertura de Ga, T4 es el sitio de alta simetría con estructura más favorable. Mientras que cuando 1/4 de monocapa de Ga se incorpora en la estructura atómica de la supeficie de AlP(111), el deposito del adatomo de Al incorporado sobre la superficie, por la incorporación de Ga, muestra que T4 es el sitio de alta simetría con estructura más favorable. Cuando una monocapa de Ga es incorporada en la estructura de AlP reemplazando el Al se forma una estructura estable".es_MX
dc.folio462518TLes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/7710
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator201110672es_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.dbgunamFosfuro de aluminioes_MX
dc.subject.lccPelículas delgadases_MX
dc.subject.lccEpitaxiaes_MX
dc.subject.lccResistencia de materialeses_MX
dc.subject.lccSemiconductoreses_MX
dc.thesis.careerLicenciatura en Físicaes_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ciencias Físico Matemáticases_MX
dc.thesis.degreetoobtainLicenciado (a) en Físicaes_MX
dc.titleAdsorción de galio sobre una superficie de AlP(111): cálculos de la teoría funcional de la densidades_MX
dc.typeTesis de licenciaturaes_MX
dc.type.conacytbachelorThesises_MX
dc.type.degreeLicenciaturaes_MX
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