Crecimiento y caracterizacion del compuesto InGaAsSb por EFL
| dc.audience | generalPublic | |
| dc.contributor.advisor | Olvera Hernandez, Javier | |
| dc.contributor.author | Olvera Cervantes, Javier | |
| dc.contributor.director | Rojas Lopez, Marlon | |
| dc.coverage.place | Biblioteca Central 3er. piso | |
| dc.date.accessioned | 2025-02-20T15:46:25Z | |
| dc.date.available | 2025-02-20T15:46:25Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.description.abstract | En esta tesis hacemos un estudio del crecimiento y caracterización de capas epitaxiales de InGaAsSb obtenidas por la técnica de Epitaxia en Fase Liquida (EFL). Para tal efecto se hace un estudio Teórico-Experimental. En la parte teórica se efectúa una revisión del equilibrio sólido-liquido para soluciones sólidas cuaternarias que involucran compuestos semiconductores en la aproximación de la solución regular, para calcular las fracciones atómicas de las componentes elementales en la fase líquida. Estos resultados se usan en la parte experimental para formar la solución líquida a una temperatura de 540°C. A las capas crecidas se les hizo estudios de Difracción de Rayos X de alta resolución y microscopía Raman con el objeto de observar el empate de red y modos vibracionales de la red. En cuanto a morfología superficial, las capas obtenidas fueron lisas, planas y de aspecto como espejo. | |
| dc.identifier.bibrecord | ICUAP2003 O4 C7 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/25132 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
| dc.rights.acces | restrictedAccess | |
| dc.subject.lcc | Química--Cristalografía--Estructura y crecimiento de los cristales | |
| dc.subject.lcc | Química física y teórica--Teoría de la disolución--Cristalización | |
| dc.subject.lcc | Técnica de epitaxia en fase liquida | |
| dc.thesis.career | Maestría en Dispositivos Semiconductores | |
| dc.thesis.degreediscipline | Área de Ciencias Naturales y de la Salud | |
| dc.thesis.degreegrantor | Instituto de Ciencias | |
| dc.thesis.degreetoobtain | Maestro(a) en Dispositivos Semiconductores | |
| dc.title | Crecimiento y caracterizacion del compuesto InGaAsSb por EFL | |
| dc.type | Tesis de maestría | |
| dc.type.degree | Maestría |