Preparación y caracterización óptico-estructural de Sioc impurificado con erbio por la técnica HWCVD usando SBA-15

Simple item page
dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorMorales Ruíz, Crisóforo
dc.contributorRosendo Andrés, Enrique
dc.contributor.advisorMORALES RUIZ, CRISOFORO; 161275
dc.contributor.authorSalazar Gómez, William
dc.date.accessioned2021-07-21T16:21:21Z
dc.date.available2021-07-21T16:21:21Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstract"A medida que el tamaño de las características de los dispositivos electrónicos de Silicio (Si) se acerca aún más al límite físico, la investigación en las áreas de fotónica con el objetivo de lograr la capacidad de emisión de luz, modulación y guía de ondas de materiales basados en Si, se ha vuelto cada vez más importante. Un método muy interesante para alcanzar este objetivo se basa en el dopaje de los materiales con átomos de erbio. La transición 4I13/2 —4I15/2 transición intra-f del Er3+ conduce a la emisión de luz alrededor de la longitud de onda de 1540nm, la longitud de onda estándar para telecomunicaciones. Por otro lado, se ha avanzado mucho recientemente hacia la fabricación de dispositivos dopados con Er a partir de materiales a base de Si, como el láser en una microcavidad toroidal de sílice dopada con Er y el uso de nanocristales de Si como sensibilizadores para Er en materiales de SiO2. Sin embargo, a pesar de estos avances, siguen existiendo desafíos en el desarrollo de dispositivos fotónicos y optoelectrónicos avanzados basados en materiales de Si dopados con Er. Para lograr una integración óptica de alta densidad en chips de Si, es necesario mejorar aún más el índice de refracción de la matriz anfitriona introduciendo iones Er."es_MX
dc.folio20210428145813-8281-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/13580
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator219470196es_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccSemiconductores--Materialeses_MX
dc.subject.lccSilicioes_MX
dc.subject.lccCélulas fotovoltaicas--Materialeses_MX
dc.subject.lccCristalizaciónes_MX
dc.subject.lccMateriales compuestoses_MX
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.titlePreparación y caracterización óptico-estructural de Sioc impurificado con erbio por la técnica HWCVD usando SBA-15es_MX
dc.typeTesis de maestríaes_MX
dc.type.conacytmasterThesises_MX
dc.type.degreeMaestríaes_MX
Files
Original bundle
Now showing 1 - 2 of 2
Thumbnail Image
Name:
20210428145813-8281-T.pdf
Size:
4.73 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download
Name:
20210428145813-8281-Carta.pdf
Size:
226.83 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description:
Download
Collections
Tesis de Maestría