Estudio de la ingeniería de bandas de energía en multicapas de Si/SiO2 para su aplicación en dispositivos optoelectrónicos

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorFlores Martínez, Guillermo
dc.contributorMorales Sánchez, Alfredo
dc.contributor.advisorMorales Sánchez, Alfredo; 102732
dc.contributor.authorPalacios Márquez, Braulio
dc.creatorPALACIOS MARQUEZ, BRAULIO; 778289
dc.date.accessioned2021-05-13T19:55:39Z
dc.date.available2021-05-13T19:55:39Z
dc.date.issued2016-04
dc.description.abstract“Durante nuestra vida diaria usamos diferentes aparatos electrónicos, sin saber todo el trabajo previo que se hace para lograr ese funcionamiento, tal es el caso de los dispositivos optoelectrónicos. Estos elementos son los encargados de convertir una señal eléctrica a una óptica y viceversa, en otras palabras convierten los electrones en fotones (visibles o no al ojo humano). Tales dispositivos los podemos encontrar en lámparas con tecnología LED, sensores o en celdas solares utilizadas como fuentes de energía alternativa. Hoy en día, debido a los grandes avances en la tecnología de los materiales, continuamente se buscan nuevas estructuras en los dispositivos semiconductores, así como diferentes materiales a utilizar. Actualmente las nanopartículas de silicio ya sean cristalinas o amorfas (nps Si) dispersas dentro de una matriz dieléctrica han surgido como una excelente alternativa para el desarrollo de novedosos dispositivos tales como memorias, celdas solares, detectores y emisores de luz [1, 2, 7, 9]. El estudio de las propiedades ópticas y eléctricas de nanopartículas de silicio por parte de los centros de investigación ha aumentado en la última década, principalmente porque los materiales y las técnicas utilizadas para su fabricación son comunes en la industria microelectrónica, haciéndolos más atractivos para aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos integrados.”es_MX
dc.folio273616TLes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator7es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/12946
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator200916011es_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍAes_MX
dc.subject.lccMateriales nanoestructuradoses_MX
dc.subject.lccMicroelectrónicaes_MX
dc.subject.lccPelículas delgadases_MX
dc.subject.lccPulverización catódica (Física)es_MX
dc.thesis.careerLicenciatura en Ingeniería Mecánica y Eléctricaes_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorFacultad de Ingenieríaes_MX
dc.thesis.degreetoobtainIngeniero (a) Mecánico y Eléctricoes_MX
dc.titleEstudio de la ingeniería de bandas de energía en multicapas de Si/SiO2 para su aplicación en dispositivos optoelectrónicoses_MX
dc.typeTesis de licenciaturaes_MX
dc.type.conacytbachelorThesises_MX
dc.type.degreeLicenciaturaes_MX
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