Depósito de nanocapas InGaN y GaN por ALD sobre silicio para su posible aplicación en fotosensores y celdas solares

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorAlvarado Pulido, José Joaquín
dc.contributor.advisorALVARADO PULIDO, JOSE JOAQUIN; 43237
dc.contributor.authorTepatzi Xahuentitla, Dylan
dc.date.accessioned2022-11-24T17:48:16Z
dc.date.available2022-11-24T17:48:16Z
dc.date.issued2022-09
dc.description.abstract"En el presente trabajo se realiza el estudio de las heteroestructuras Si/InGaN y Si/GaN para su aplicación en fotosensores y celdas solares. Para ello, se realizaron simulaciones numéricas a través del software Silvaco atlas, tomando en cuenta datos experimentales y de la literatura. Con el fin, de determinar los parámetros críticos de funcionamiento de los dispositivos que pudiesen mejorar el funcionamiento de los dispositivos optoelectrónicos. Una vez determinados estos valores, se crecieron las películas nanométricas GaN e InGaN en silicio, por la técnica de depósito de capas atómicas Asistida por plasma (PEALD) e investigamos las propiedades eléctricas, ópticas y estructurales de los dispositivos. Demostrando así, la obtención de los materiales lll-nitruros y el funcionamiento de las heteroestructuras Si/GaN y Si/ InGaN como dispositivos optoelectrónicos".es_MX
dc.folio20220929092802-2351-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/16988
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator220470571es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccDispositivos optoelectrónicoses_MX
dc.subject.lccCeldas solares--Materiales--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccDetectores ópticos--Materialeses_MX
dc.subject.lccSemiconductoreses_MX
dc.subject.lccHeteroestructurases_MX
dc.subject.lccPelículas delgadas--Propiedades eléctricases_MX
dc.subject.lccPelículas delgadas--Propiedades ópticases_MX
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.titleDepósito de nanocapas InGaN y GaN por ALD sobre silicio para su posible aplicación en fotosensores y celdas solareses_MX
dc.typeTesis de maestríaes_MX
dc.type.conacytmasterThesises_MX
dc.type.degreeMaestríaes_MX
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