Síntesis y caracterización de películas de óxido de silicio rico en silicio impurificado con estaño (SRO:Sn)

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorMorales Ruíz, Crisóforo
dc.contributorGaleazzi Isasmendi, Reina
dc.contributor.advisorMORALES RUIZ, CRISOFORO; 161275
dc.contributor.advisorGALEAZZI ISASMENDI, REINA; 241164
dc.contributor.authorDíaz Tapia, Daniel
dc.date.accessioned2021-07-21T16:13:05Z
dc.date.available2021-07-21T16:13:05Z
dc.date.issued2021-04-12
dc.description.abstract"En este proyecto es importante el estudio del crecimiento de películas de SRO mediante HWCVD, el cual se utilizará un nuevo material fuente que sería el SBA-15, el cual nosotros esperamos que se le pueda agregar un metal como lo que es estaño para así obtener lo que son las películas dopadas de SRO. Se espera que el SBA-15 nos ayude a que el estaño soporte altas temperaturas y sea posible su uso para la impurificación de las películas de SRO. De esta manera el SBA-15 servirá como una capa de protección para el estaño a la hora de hacer uso de la técnica HWCVD. Este trabajo se guio en los siguientes 3 pasos: (1) síntesis de SBA-15, (2) impurificación del SBA-15 con átomos de estaño (Sn-SBA-15), (3) fabricación de películas de SRO sin impurificar e impurificadas con estaño (Sn-SRO). Además, en cada paso se realizarán diferentes caracterizaciones de nuestro material obtenido, para así estudiar sus propiedades, y obtener mayor información de lo que esta sucediendo con la impurificación de estaño."es_MX
dc.folio20210427102445-0987-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/13579
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator219470194es_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccSemiconductores--Materialeses_MX
dc.subject.lccRecubrimientoses_MX
dc.subject.lccNanocristaleses_MX
dc.subject.lccMicroelectrónicaes_MX
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.titleSíntesis y caracterización de películas de óxido de silicio rico en silicio impurificado con estaño (SRO:Sn)es_MX
dc.typeTesis de maestríaes_MX
dc.type.conacytmasterThesises_MX
dc.type.degreeMaestríaes_MX
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