Análisis numérico de de la unión p-n linealmente gradual para diodos de silicio
| dc.audience | generalPublic | |
| dc.contributor.advisor | Zárate Corona, Oscar | |
| dc.contributor.advisor | García Delgado, José Joel | |
| dc.contributor.author | Gutiérrez López, José Angel | |
| dc.coverage.place | Tesiteca, Biblioteca Central 3er. piso | |
| dc.date.accessioned | 2026-10-07T17:33:37Z | |
| dc.date.available | 2026-10-07T17:33:37Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.description.abstract | "El modelado de dispositivos es la técnica para desarrollar un ""modelo"" por medio, del comportamiento real de un dispositivo, siendo este, simulado teóricamente. En general, las características reales de este, son función de los parámetros de diseño. Por lo tanto, el modelo debe generar resultados teóricos precisos para un conjunto arbitrario de parámetros de diseño los cuales deben estar relacionados con los parámetros de fabricación. Debemos señalar que el uso del modelado numérico no excluye de ninguna manera el uso de las fórmulas fundamentales con base en el análisis tradicional. Las fórmulas fundamentales deberían usarse donde la comprensión básica del comportamiento del dispositivo requiere, comúnmente un sentido cualitativo o una evaluación de orden En general, el desarrollo de un dispositivo involucra procesos de prueba y error en la fabricación, hasta fijar las condiciones de diseño. La introducción del modelado no puede desaparecer los procesos de prueba y error totalmente, pero disminuye considerablemente el número de iteraciones porque la simulación del modelo proporciona una suposición muy buena con respecto a las condiciones reales de fabricación. Esto es el por qué en el modelado de dispositivos, la computadora se utiliza como una herramienta de diseño. En este trabajo desarrollamos un análisis de la unión p-n linealmente gradual, siendo este, mediante el empleo de métodos numéricos en la solución de las ecuaciones diferenciales asociadas a la fisica del semiconductor de silicio. Este trabajo de tesis se realizo con la idea de aplicar el modelo de la unión linealmente gradual a uniones derivadas de los compuestos III-V, los cuales serán ajustados con los parámetros obtenidos empíricamente en el laboratorio de epitaxia en fase liquida del laboratorio de semiconductores. En el capitulo uno se hacen las consideraciones fundamentales sobre la estructura fisica del silicio, algunos parámetros importantes (movilidad, constante dieléctrica, etc.) Después presentamos las leyes fisicas que rigen su comportamiento como la ley de acción de masas, concentración intrinseca de portadores, ecuaciones de continuidad, etc.) Finalmente concluimos con una recapitulación de las principales ecuaciones que rigen al semiconductor." | |
| dc.format | unknown | |
| dc.identifier.bibrecord | LELE2005G8A5 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/33989 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
| dc.rights.acces | restrictedAccess | |
| dc.subject.lcc | Física de semiconductores--Dispositivos semiconductores--Diodos de silicio--Unión p-n--Modelado numérico--Análisis de unión linealmente gradual | |
| dc.thesis.career | Licenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica) | |
| dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
| dc.thesis.degreegrantor | Facultad de Ciencias de la Electrónica | |
| dc.thesis.degreetoobtain | Licenciado (a) en Electrónica | |
| dc.title | Análisis numérico de de la unión p-n linealmente gradual para diodos de silicio | |
| dc.type | Tesis de licenciatura | |
| dc.type.degree | Licenciatura |