Caracterización del crecimiento de películas delgadas de SiO2 dopadas con cobalto, empleando el método SOL-GEL
| dc.audience | generalPublic | |
| dc.contributor.advisor | De León Paredes, Victor | |
| dc.contributor.advisor | Vázquez Luna, José G. | |
| dc.contributor.author | Ramos Mendoza, Alicia | |
| dc.contributor.committee | López Flores, Rey Baltazar | |
| dc.contributor.committee | Ramírez Perucho, Adolfo | |
| dc.contributor.committee | Juárez Santiesteban, Héctor | |
| dc.coverage.place | Tesiteca, Biblioteca Central 3er. piso | |
| dc.date.accessioned | 2026-09-28T15:09:44Z | |
| dc.date.available | 2026-09-28T15:09:44Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.description.abstract | "En este trabajo se ha analizado recubrimientos de SiO2 preparados por sol-gel conteniendo Co. Las propiedades de los recubrimientos tratados térmicamente en aire a 300°C y 500°C fueron caracterizadas usando técnicas de microscopia de fuerza atómica (MFA), de rayos x, mediciones ópticas y de perfil de profundidad. De las imágenes obtenidas por MFA se determinó la morfología superficial de los recubrimientos, con los difractogramas obtenidos del análisis de rayos-x se determina la presencia de Co3O4 con estructura cúbica spinel y se determinan los parámetros de red. De a cuerdo con las mediciones ópticas se ha determinado que el espectro de absorción de muestras con baja concentración de Co muestra solamente bandas asociadas con el Co²+ tetragonal, independientemente de la temperatura de tratamiento. Las muestras con alta concentración de cobalto, y tratadas a 300°C, muestran evidencia de Co² con ambas coordinaciones la cuádruple y sextuple. Cuando estos recubrimientos son tratados a 500°C, gran parte del cobalto migra a la superficie libre del recubrimiento, donde es oxidado por el oxígeno atmosférico para formar una capa superior de Co3O4. Las constantes ópticas de los recubrimientos tratados térmicamente se obtienen de las mediciones ópticas de reflexión y transmisión, usando modelos ópticos apropiados. Con los perfiles Auger de profundidad obtenidos, se corroboran los modelos empleados en las mediciones ópticas." | |
| dc.format | unknown | |
| dc.identifier.bibrecord | LELE2001R3C3 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12371/33833 | |
| dc.language.iso | spa | |
| dc.publisher | Benemérita Universidad Autónoma de Puebla | |
| dc.rights.acces | restrictedAccess | |
| dc.subject.lcc | Nanotecnología--Películas delgadas--Dióxido de silicio--Método Sol-Gel--Nanocompositos de cobalto--Caracterización de materiales--Espectroscopia óptica | |
| dc.thesis.career | Licenciatura en Ciencias de la Electrónica (aparece lic. en electrónica) | |
| dc.thesis.degreediscipline | Área de Ingeniería y Ciencias Exactas | |
| dc.thesis.degreegrantor | Facultad de Ciencias de la Electrónica | |
| dc.thesis.degreetoobtain | Licenciado (a) en Electrónica | |
| dc.title | Caracterización del crecimiento de películas delgadas de SiO2 dopadas con cobalto, empleando el método SOL-GEL | |
| dc.type | Tesis de licenciatura | |
| dc.type.degree | Licenciatura |