Estudio de la impurificación de óxido de zinc monocristalino dopado con antimonio y flúor

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dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.contributorMartínez Juárez, Javier
dc.contributorHernández de la Luz, José Álvaro David
dc.contributorJuárez Díaz, Gabriel
dc.contributor.advisorMARTINEZ JUAREZ, JAVIER; 12172
dc.contributor.advisorHERNÁNDEZ DE LA LUZ, JOSÉ ÁLVARO DAVID; 240901
dc.contributor.advisorJUAREZ DIAZ, GABRIEL; 43171
dc.contributor.authorMendo Pérez, Eduardo Oswaldo
dc.date.accessioned2023-03-30T20:12:21Z
dc.date.available2023-03-30T20:12:21Z
dc.date.issued2022-10
dc.description.abstract"En el presente trabajo de tesis, se recibieron obleas monocristalinas de Óxido de Zinc (ZnO) con orientación (001) crecidas por método hidrotermal, de la cuales algunas fueron sometidas a proceso de difusión sólida con Antimonio. y posteriormente sometidas a tratamiento térmico con Politetrafluoroetileno (PFTE o Teflón), buscando la difusión de Flúor y/o Carbón. De esta forma, se intenta realizar un dopado de dos o tres elementos para estudiar su comportamiento y las propiedades ópticas del ZnO. La caracterización de las propiedades físicas de las muestras se realizó mediante técnicas ópticas, como: la fotoluminiscencia (PL), la transmitancia óptica y la espectroscopía Raman. La caracterización estructural se realizó mediante configuración de potencia y análisis de difracción de rayos X de alta resolución (HRXRD). La caracterización de las propiedades eléctricas se realizó mediante pruebas de efecto Hall, pruebas de Contacto Óhmico y mediciones de Resistividad. El objetivo es estudiar la modificación de las propiedades ópticas, estructurales y eléctricas inducidas por la difusión de Antimonio y el tratamiento térmico con PTFE, así como la aparición de defectos característicos en las propiedades del ZnO".es_MX
dc.folio20221025104530-3895-Tes_MX
dc.formatpdfes_MX
dc.identificator1es_MX
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12371/18129
dc.language.isospaes_MX
dc.matricula.creator220470572es_MX
dc.publisherBenemérita Universidad Autónoma de Pueblaes_MX
dc.rights.accesopenAccesses_MX
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0es_MX
dc.subject.classificationCIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRAes_MX
dc.subject.lccSemiconductores--Investigaciónes_MX
dc.subject.lccSemiconductores dopadoses_MX
dc.subject.lccCristales--Estructuraes_MX
dc.subject.lccMateriales--Propiedades ópticases_MX
dc.subject.lccMateriales--Propiedades eléctricases_MX
dc.thesis.careerMaestría en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.thesis.degreedisciplineÁrea de Ingeniería y Ciencias Exactases_MX
dc.thesis.degreegrantorInstituto de Cienciases_MX
dc.thesis.degreetoobtainMaestro(a) en Dispositivos Semiconductoreses_MX
dc.titleEstudio de la impurificación de óxido de zinc monocristalino dopado con antimonio y flúores_MX
dc.typeTesis de maestríaes_MX
dc.type.conacytmasterThesises_MX
dc.type.degreeMaestríaes_MX
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